IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD30N08S2L21ATMA1 제조: Infineon 및 IPD30N10S3L34ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD30N08S2L21ATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.48 | $0.92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | 26 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (L series) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 56 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | — |
| Maximum Junction Temperature | +175C | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Drain tab + Gate + Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 57 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 31 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | — | 2.4 V |
| Total Gate Charge (Qg) max | — | 31 nC |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| Package / Supplier Device Package | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin / Tab Count | — | 3 (2 + Tab) |
| Technology | — | OptiMOS-T (trench) |