IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD30N10S3L34ATMA1 von Infineon und IPD33CN10NGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD30N10S3L34ATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Transistortyp N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL-Level 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
Technology — OptiMOS (Trench)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

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