IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD30N10S3L34ATMA1 por Infineon e IPD33CN10NGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD30N10S3L34ATMA1 IPD33CN10NGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 57 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 31 mΩ @ VGS=10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) —
Total Gate Charge (Qg typ) 23 nC —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Nível MSL 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) 1
RoHS / REACH Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
Technology — OptiMOS (Trench)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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