IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD30N10S3L34ATMA2 von Infineon und IPD70N10S312ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD30N10S3L34ATMA2 IPD70N10S312ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,69
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited floor life)
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD70N10S312ATMA2
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Gehäuse — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated — Yes

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