IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD30N10S3L34ATMA2 por Infineon y IPD70N10S312ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD30N10S3L34ATMA2 IPD70N10S312ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,69
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited floor life)
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD70N10S312ATMA2
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Encapsulado — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated — Yes

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