IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60R280P7SAUMA1 von Infineon und IPD30N10S3L34ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60R280P7SAUMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,38
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA —
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
RoHS-Status Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Transistortyp — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

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