IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon e IPD30N10S3L34ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R280P7SAUMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,38
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA —
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
Status RoHS Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Fichas técnicas e recursos

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