IPD78CN10NGATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD78CN10NGATMA1 von Infineon und IPD90N04S403ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD78CN10NGATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 2 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 78 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C 31 W —
Operating Junction Temperature Max 175 C —
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
RoHS Compliance Compliant Compliant (Green Package)
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC1 for target application —
Technology OptiMOS 2 Power-Transistor Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gehäuse — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern