IPD78CN10NGATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD78CN10NGATMA1 por Infineon e IPD90N04S403ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD78CN10NGATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 2 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 78 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C 31 W —
Operating Junction Temperature Max 175 C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
RoHS Compliance Compliant Compliant (Green Package)
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC1 for target application —
Technology OptiMOS 2 Power-Transistor Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Encapsulamento — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested

Fichas técnicas e recursos

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