IPD90N04S403ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD90N04S403ATMA1 von Infineon und IPD046N08N5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD90N04S403ATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
MSL-Level MSL1 (peak reflow up to 260C) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Gehäuse / Bauform — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
RoHS-Status — ROHS3 Compliant
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern