IPD90N04S403ATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90N04S403ATMA1 por Infineon e IPD046N08N5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90N04S403ATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Nível MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) 1 (per JEDEC J-STD-020)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Status RoHS — ROHS3 Compliant
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Fichas técnicas e recursos

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