IPD90P04P405ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD90P04P405ATMA2 von Infineon und IPD90P04P4L04ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,69 $1,22
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (Tj) -55 C to +175 C
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Anzahl der Pins — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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