IPD90P04P405ATMA2 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90P04P405ATMA2 por Infineon e IPD90P04P4L04ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,69 $1,22
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) -55 C to +175 C
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Manufacturer — Infineon Technologies
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Número de pinos — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fichas técnicas e recursos

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