IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD90P04P4L04ATMA2 von Infineon und IPB120P04P4L03ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD90P04P4L04ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,22 $1,74
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant (per Infineon product page)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Transistor Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)

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