IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90P04P4L04ATMA2 por Infineon e IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90P04P4L04ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,22 $1,74
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Transistor Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

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