IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL60R085P7AUMA1 von Infineon und IPB60R280P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL60R085P7AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $0,88
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ)
Gehäuse PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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