IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R085P7AUMA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL60R085P7AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $0,88
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ)
Boîtier PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fiches techniques et ressources

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