IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL60R105P7AUMA1 von Infineon und IPL60R085P7AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL60R105P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $2,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Gehäuse PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 39 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

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