IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL60R105P7AUMA1 por Infineon e IPL60R085P7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPL60R105P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $2,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 39 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
Temperatura de junção de operação — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

Fichas técnicas e recursos

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