IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R115CFD7AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL60R105P7AUMA1 von Infineon und IPL60R115CFD7AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL60R105P7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant (per distributor listings)
Halogenfrei Yes —
Lead-Free Yes —
Part Number — IPL60R115CFD7AUMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 22 A
On-Resistance (RDS(on)) — 115 mOhm (typ, VGS=10V)
Gehäuse / Bauform — PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad
Integrated Body Diode — Yes - fast body diode (CFD)
Application — Resonant high-power topologies (LLC, PFC)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Pin-Anzahl — 4
Quantity per Reel — [DATA_NEEDED: reel qty]

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