IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R115CFD7AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPL60R105P7AUMA1 メーカー: Infineon および IPL60R115CFD7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPL60R105P7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $1.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
動作温度範囲 -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant (per distributor listings)
ハロゲンフリー Yes —
Lead-Free Yes —
Part Number — IPL60R115CFD7AUMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 22 A
On-Resistance (RDS(on)) — 115 mOhm (typ, VGS=10V)
パッケージ / ケース — PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad
Integrated Body Diode — Yes - fast body diode (CFD)
Application — Resonant high-power topologies (LLC, PFC)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
ピン数 — 4
Quantity per Reel — [DATA_NEEDED: reel qty]

データシート&リソース

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