IPN70R360P7SATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPN70R360P7SATMA1 von Infineon und IPL60R105P7AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPN70R360P7SATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,82
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V —
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) 12.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) 360 mΩ —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 7.2 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vth) typ 3.0 V —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Channel Type N-Channel N-Channel
Gehäuse PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C
Storage Temperature Range -55°C to +150°C —
ESD Protection (HBM) Class 1C —
Drain Tab Connection Pin 3 (Tab) —
RoHS / REACH Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status — Compliant
Halogenfrei — Yes
Lead-Free — Yes

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