IPN70R360P7SATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPN70R360P7SATMA1 por Infineon e IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPN70R360P7SATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,82
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V —
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) 12.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) 360 mΩ —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 7.2 W —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vth) typ 3.0 V —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Channel Type N-Channel N-Channel
Encapsulamento PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C
Storage Temperature Range -55°C to +150°C —
ESD Protection (HBM) Class 1C —
Drain Tab Connection Pin 3 (Tab) —
RoHS / REACH Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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