IPT008N06NM5LFATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT008N06NM5LFATMA1 von Infineon und BSC016N06NSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT008N06NM5LFATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,40 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 / Linear FET —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 454 A —
Gepulster Drain-Strom [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V 0.8 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.6 V (typ, 250 µA test) —
Power Dissipation (Tc) 278 W 167 W
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (TJ) -55 C to +150 C
Gehäuse PG-HSOF-8 (single, flat-lead) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 not_qualified (industrial-grade by default) —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern