IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT015N10NF2SATMA1 von Infineon und IPB024N10N5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT015N10NF2SATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $1,86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Einzelpuls-Avalanche-Energie [DATA_NEEDED: EAS value] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
MSL-Level — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Halogenfrei — Yes (per Infineon product family policy)

Datenblätter & Ressourcen

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