IPT017N12NM6ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon und IPTG025N15NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT017N12NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $1,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Gehäuse PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +175C —
Pin-Anzahl 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

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