IPT017N12NM6ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon et IPTG025N15NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT017N12NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $1,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Boîtier PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Nombre de broches 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

Fiches techniques et ressources

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