IPT017N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon und ISC037N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IPT017N12NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,85 | $3,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Transistortyp | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | 214 W |
| Gehäuse | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | -55C to +175C | — |
| Pin-Anzahl | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| MSL-Level | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |