IPT017N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon et ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPT017N12NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $3,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | 214 W |
| Boîtier | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Nombre de broches | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |