IPT030N12N3GATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT030N12N3GATMA1 von Infineon und IQE018N06NM6CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT030N12N3GATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,78 $1,21
Channel Type N-Channel N-Channel
Configuration Single —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 237 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W (Ta) —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W (Tc) —
Technology OptiMOS 3 Trench MOSFET, OptiMOS 6
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (per manufacturer datasheet) —
RoHS-Status Compliant with Exemption —
Channel Mode Enhancement —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6 60V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction)
RoHS Compliance — Compliant

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