IPT030N12N3GATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT030N12N3GATMA1 par Infineon et IQE018N06NM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT030N12N3GATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,78 $1,21
Channel Type N-Channel N-Channel
Configuration Single —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 237 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W (Ta) —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W (Tc) —
Technology OptiMOS 3 Trench MOSFET, OptiMOS 6
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (per manufacturer datasheet) —
Statut RoHS Compliant with Exemption —
Channel Mode Enhancement —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6 60V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
RoHS Compliance — Compliant

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