IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPTC017N12NM6ATMA1 von Infineon und ISC037N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPTC017N12NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,95 $3,62
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 395 W —
Gehäuse PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
RoHS-Status Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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