IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPTC017N12NM6ATMA1 제조: Infineon 및 ISC037N12NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPTC017N12NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.95 | $3.62 |
| Technology | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 331 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1.7 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 2.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge QG | 141 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.4 nF at VDS = 60 V | — |
| Output Capacitance Coss | 11000 pF at VDS = 60 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 395 W | — |
| 패키지 | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55 °C to +175 °C (TJ max) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| MSL 레벨 | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |