IQD005N04NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IQD005N04NM6ATMA1 von Infineon und ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IQD005N04NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,82 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 58 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 610 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.5 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Gehäuse | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | -55C to +150C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| MSL-Level | 1 | — |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Anzahl der Pins | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Betriebstemperatur | — | -55 °C to +175 °C |