IQD009N06NM5SCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQD009N06NM5SCATMA1 von Infineon und IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQD009N06NM5SCATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,42 $1,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 445 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 150 W
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gehäuse PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) PG-TTFN-9-3
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 degrees C to +175 degrees C
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL classification] —
Tape and Reel Packaging Yes (suffix SCATMA1) —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Technology — OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

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