IQD063N15NM5SCATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQD063N15NM5SCATMA1 von Infineon und ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQD063N15NM5SCATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,35 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 151 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 14.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 5.1 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.32 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 V (max) —
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V 48 nC —
Input Capacitance (Ciss) 3.6 nF —
Output Capacitance (Coss) 900 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 333 W —
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C 3 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C —
Gehäuse PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) PG-TDSON-8 FL
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
Anzahl der Pins — 8
Channel Mode — Enhancement
Betriebstemperatur — -55 °C to +175 °C

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