IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQDH35N03LM5SCATMA1 von Infineon und IQDH88N06LM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,05 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Gehäuse PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
Pin-Anzahl — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

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