IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon et IQDH88N06LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Boîtier PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
Nombre de broches — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

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