IQE018N06NM6CGATMA1 vs IPT030N12N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE018N06NM6CGATMA1 von Infineon und IPT030N12N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE018N06NM6CGATMA1 IPT030N12N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,21 $2,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 60V —
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 178 A —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 25 A —
R_DS(on) max (V_GS=10 V) 1.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.3 V (logic-level compatible) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Gehäuse PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 OptiMOS 3
RoHS Compliance Compliant —
Configuration — Single
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 24 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 237 A (Tc)
Power Dissipation (PD) at Ta — 3.8 W (Ta)
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W (Tc)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes (per manufacturer datasheet)
RoHS-Status — Compliant with Exemption
Channel Mode — Enhancement
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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