IQE018N06NM6CGATMA1 vs IPT030N12N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE018N06NM6CGATMA1 par Infineon et IPT030N12N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE018N06NM6CGATMA1 IPT030N12N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,21 $2,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 60V —
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 178 A —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 25 A —
R_DS(on) max (V_GS=10 V) 1.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.3 V (logic-level compatible) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 OptiMOS 3
RoHS Compliance Compliant —
Configuration — Single
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 24 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 237 A (Tc)
Power Dissipation (PD) at Ta — 3.8 W (Ta)
Power Dissipation (PD) at Tc — 375 W (Tc)
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes (per manufacturer datasheet)
Statut RoHS — Compliant with Exemption
Channel Mode — Enhancement
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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