IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE050N08NM5CGATMA1 von Infineon und IQDH88N06LM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE050N08NM5CGATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,75 $2,31
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Ta) 16 A —
Continuous Drain Current (Tc) 101 A —
On-Resistance RDS(on) Max 5.0 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Gehäuse PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Source-Down) OptiMOS 5 (trench)
Gate Threshold Vgs(th) Typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Betriebstemperatur -55°C to +175°C (TJ max) —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C (TJ)
Pin-Anzahl — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

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