IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 von Infineon und IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,78 $1,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7 Power-Transistor
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A —
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C +175 degrees C
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-TTFN-9-3
Montageart Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Betriebstemperaturbereich — -55 degrees C to +175 degrees C
RoHS-Status — Compliant
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

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