IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 por Infineon e IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ AtivoInfineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,78 | $1,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | +175 degrees C |
| Encapsulamento | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-TTFN-9-3 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |