IR2117STRPBF vs IR2117SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2117STRPBF von Infineon und IR2117SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2117STRPBF IR2117SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $1,21
Configuration High-Side Single Channel Single high-side driver
Funktion Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
Anstiegszeit 80 ns (typ) —
Abfallzeit 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse / Bauform 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant (PbF suffix)
Lead-Free Yes —
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Driver Type — High-side gate driver (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Output Current (Source, typ.) — 0.25 A
Output Current (Sink, typ.) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down
Logic Input Polarity — Non-inverting
Bootstrap Operation — Yes (floating channel)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
Gehäuse — 8-SOIC (SOIC-8)
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Family — IR2117 / IR2118 series

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