IR2117STRPBF vs IR2117SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2117STRPBF par Infineon et IR2117SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2117STRPBF IR2117SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $1,21
Configuration High-Side Single Channel Single high-side driver
Fonction Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
Nombre de sorties 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
Temps de montée 80 ns (typ) —
Temps de descente 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes Yes
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier / Format 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Lead-Free Yes —
Niveau MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Driver Type — High-side gate driver (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Output Current (Source, typ.) — 0.25 A
Output Current (Sink, typ.) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down
Logic Input Polarity — Non-inverting
Bootstrap Operation — Yes (floating channel)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
Boîtier — 8-SOIC (SOIC-8)
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Family — IR2117 / IR2118 series

Fiches techniques et ressources

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