IR2117STRPBF vs IRS2104STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2117STRPBF von Infineon und IRS2104STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2117STRPBF IRS2104STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,45
Configuration High-Side Single Channel —
Funktion Gate Driver, Non-Inverting —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Driven Device N-Channel MOSFET / IGBT —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Peak Source Current (IOUT+) 250 mA —
Peak Sink Current (IOUT-) 500 mA —
Propagation Delay (Ton/Toff) 125 ns (max) —
Anstiegszeit 80 ns (typ) —
Abfallzeit 40 ns (typ) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes, dV/dt immune —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse / Bauform 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant (PbF suffix)
Lead-Free Yes —
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 2 (1 year floor life per datasheet)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Topologie — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40C to +150C
Gehäuse — 8-Lead SOIC (SOIC-8)
Qualification Level — Industrial

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