IR2127STRPBF vs IR21531STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2127STRPBF von Infineon und IR21531STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2127STRPBF IR21531STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,70
Configuration High-Side Half-Bridge
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Anzahl der Ausgänge 1 2 (high-side, low-side)
Anstiegszeit 80 ns (typical) 80 ns
Abfallzeit 60 ns (typical) 45 ns
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm body) 8-pin SOIC (SO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
RoHS-Status — Compliant (ROHS3)

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