IR2127STRPBF vs IR21531STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2127STRPBF por Infineon y IR21531STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2127STRPBF IR21531STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $0,70
Configuration High-Side Half-Bridge
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Número de salidas 1 2 (high-side, low-side)
Tiempo de subida 80 ns (typical) 80 ns
Tiempo de bajada 60 ns (typical) 45 ns
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm body) 8-pin SOIC (SO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
Estado RoHS — Compliant (ROHS3)

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