IR2127STRPBF vs IRS2109STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2127STRPBF von Infineon und IRS2109STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2127STRPBF IRS2109STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,61
Configuration High-Side Half-Bridge
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Anstiegszeit 80 ns (typical) —
Abfallzeit 60 ns (typical) —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant Yes (Pb-free suffix 'PBF')
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Input Type — Non-Inverting, Single Input
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage (VOffset) — 600 V maximum
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Voltage — Compatible with 3.3 V and 5 V logic
Source Current (typical) — 290 mA
Sink Current (typical) — 600 mA
Propagation Delay (ton/off) — 540 ns (typical)
Deadtime — 540 ns (fixed, internal)
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Packaging — Tape and Reel (TR suffix)

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