IRF1310NSTRLPBF vs IPB019N08N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF1310NSTRLPBF von Infineon und IPB019N08N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF1310NSTRLPBF IPB019N08N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $2,74
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Gehäuse D2PAK (TO-263AB) PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) MOSFET (Metal Oxide)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF
RoHS-Status — Compliant

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